题名 | 硅玻璃激光键合技术及芯片级原子钟气密性 |
作者 | 张志强 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2012-05-30 |
授予单位 | 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) |
导师 | 吴亚明 |
关键词 | 芯片级原子钟 激光键合 键合强度 气密性 多层缓冲原子腔 |
其他题名 | Laser bonding technology on Si Glass and hermeticity of CSAC |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
中文摘要 | 芯片级原子钟原子腔体积小、采用MEMS硅-玻璃键合工艺制造,其气密性是决定原子钟寿命的关键因素。而其制造关键工艺阳极键合技术具有气密性不高、全局高温高电场、析出杂质等缺点。因此本文研究了一种新型激光局部键合技术,可望解决该器件的关键键合步骤,并且为MEMS器件的制造和封装提出了一种新型键合工艺。并提出了一种“多层缓冲原子腔”结构改善原子腔的气密性能。论文建立了激光键合传热解析模型,在此模型上应用ANSYS有限元方法数值仿真了Si/Pyrex玻璃和Si/石英玻璃激光键合的温度场及残余应力等,计算了不同激光功 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2013-04-24 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115020] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张志强. 硅玻璃激光键合技术及芯片级原子钟气密性[D]. 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) . 2012. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论