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	Advanced BCD technology with vertical DMOS based on a semi-insulation structure
	Ma K(马奎); Fu XH(傅兴华); Lin JX(林洁馨); Yang FS(杨发顺)
	2016
卷号	0期号:7页码:56-62
关键词	BCD工艺 绝缘结构 DMOS 垂直 MOSFET 数值计算机 互连结构 反向偏置
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6228905
专题	贵州大学
作者单位	[1]Department of Electronics, Guizhou University, Guiyang 550025, China
推荐引用方式 GB/T 7714	Ma K,Fu XH,Lin JX,et al. Advanced BCD technology with vertical DMOS based on a semi-insulation structure[J],2016,0(7):56-62.
APA	Ma K,Fu XH,Lin JX,&Yang FS.(2016).Advanced BCD technology with vertical DMOS based on a semi-insulation structure.,0(7),56-62.
MLA	Ma K,et al."Advanced BCD technology with vertical DMOS based on a semi-insulation structure".0.7(2016):56-62.

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