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	环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺
	谢泉; 肖清泉; 张晋敏
	2010
公开日期	2010
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申请日期	2010
专利申请号	CN201010147304.2
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6221285
专题	贵州大学
作者单位	[1]贵州大学
推荐引用方式 GB/T 7714	谢泉,肖清泉,张晋敏. 环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 2010-01-01.

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