SiC半导体在薄膜物理制备中的研究 | |
艾学正; 范梦慧; 谢泉; 王凯 | |
2016 | |
卷号 | 0期号:10页码:131-131 |
关键词 | SiC薄膜 结构 性质 物理汽相沉积 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6214581 |
专题 | 贵州大学 |
作者单位 | [1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵州省贵阳市550025 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 艾学正,范梦慧,谢泉,等. SiC半导体在薄膜物理制备中的研究[J],2016,0(10):131-131. |
APA | 艾学正,范梦慧,谢泉,&王凯.(2016).SiC半导体在薄膜物理制备中的研究.,0(10),131-131. |
MLA | 艾学正,et al."SiC半导体在薄膜物理制备中的研究".0.10(2016):131-131. |
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