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	SiC半导体在薄膜物理制备中的研究
	艾学正; 范梦慧; 谢泉; 王凯
	2016
卷号	0期号:10页码:131-131
关键词	SiC薄膜 结构 性质 物理汽相沉积
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6214581
专题	贵州大学
作者单位	[1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵州省贵阳市550025
推荐引用方式 GB/T 7714	艾学正,范梦慧,谢泉,等. SiC半导体在薄膜物理制备中的研究[J],2016,0(10):131-131.
APA	艾学正,范梦慧,谢泉,&王凯.(2016).SiC半导体在薄膜物理制备中的研究.,0(10),131-131.
MLA	艾学正,et al."SiC半导体在薄膜物理制备中的研究".0.10(2016):131-131.

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