| 用于厚膜GaN制备的HVPE设备 | |
| 于广辉 ; 齐鸣 ; 雷本亮 ; 李爱珍 | |
| 2004 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 氢化物气相外延(HVPE)具有生长速度快、成本低的优点,非常适合制备厚膜GaN作为GaN基材料外延生长的衬底。本成果涉及一种用于制备厚膜GaN的水平式HVPE设备。由于采用了特殊的喷淋头结构设计,保证了源气具有较好的均匀性,避免了源的预反应。通过合理的选择工艺条件,我们在实验室中获得了高质量的厚膜GaN材料。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113738]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于广辉,齐鸣,雷本亮,等. 用于厚膜GaN制备的HVPE设备. 鉴定:无. 2004. |
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