| 一种含镁锌氧的金属－绝缘层－半导体结构的制备工艺 | |
| 吴惠桢 ; 梁军 ; 劳燕锋 | |
| 2003 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种应用新型高介电常数材料-立方镁锌氧(MgZnO)晶体薄膜作为金属－绝缘层－半导体(MIS)结构中的绝缘层材料的制备工艺,属于微电子技术领域。特征在于生长在单晶硅衬底上的立方MgZnO薄膜为绝缘层,其晶格常数a：0.4222nm,介电常数：10.7,禁带宽度 5eV。具体MIS结构为：金属电极-MgZnO晶体薄膜-Si单晶-金属电极;金属电极-MgZnO晶体薄膜-SiO2- Si单晶-金属电极;MgZnO绝缘层的厚度可根据MIS器件的要求在1nm～500nm选择。其制作方法是采用光刻和化学湿法 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113672]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴惠桢,梁军,劳燕锋. 一种含镁锌氧的金属－绝缘层－半导体结构的制备工艺. 鉴定:无. 2003. |
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