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	基于半导体材料的纳米线制作方法
	王跃林
	2007
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	该发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条,近似矩形或梯形截面,且可在顶层介质的表面形成保护膜之前,进行硼、磷等掺杂。方法包括：利用晶面顶层硅的SOI硅片;利用SOI硅片和硅的各向同性或干法刻蚀腐蚀技术;先用硅的干法刻蚀技术再用硅的各向异性或各向同性腐蚀制作;先用硅的各向同性腐蚀技术,再用硅的干法刻蚀技术制作等。具有工艺简单、加工成本低、适用于批量生产特点,制成的纳米线可做成传感器
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113662]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	王跃林. 基于半导体材料的纳米线制作方法. 鉴定:无. 2007.

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