| 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法 | |
| 王笑龙 ; 于广辉 | |
| 2006 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法,通过将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理,改善了晶体内部结晶质量,而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀产物,使表面的氮空位得到了补充,相当于在去除受损表面时重新生长了一个薄层的氮化物外延层,从而使受损GaN基材料的电学和光学特性得到回升。本技术可以用于氮化镓基器件的制备等工艺。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113661]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王笑龙,于广辉. 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法. 鉴定:无. 2006. |
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