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	剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料
	王曦
	2005
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	该发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的方法,依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火,其特征在于：离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入;离子注入时的能量范围是50～200 kEV,相应的剂量范围是2.0×10＃＋［17］～7.0×10＃＋［17］cm＃＋［-2］,注入剂量和能量之间的优化关系的公式是D(10＃＋［17］cm＃＋［-2］)＝(0.035±0.005)×E(kEV);离子注入后的高温退火的温度为1200～1375℃,退火的时间为1～24个小时,退火的气氛为氩
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113659]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	王曦. 剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料. 鉴定:无. 2005.

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