剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料 | |
王曦 | |
2005 | |
获奖类别 | 鉴定 |
获奖等级 | 无 |
中文摘要 | 该发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的方法,依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火,其特征在于:离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入;离子注入时的能量范围是50~200 kEV,相应的剂量范围是2.0×10#+[17]~7.0×10#+[17]cm#+[-2],注入剂量和能量之间的优化关系的公式是D(10#+[17]cm#+[-2])=(0.035±0.005)×E(kEV);离子注入后的高温退火的温度为1200~1375℃,退火的时间为1~24个小时,退火的气氛为氩 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 成果 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113659] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王曦. 剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料. 鉴定:无. 2005. |
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