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	降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
	王曦
	2005
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	该发明提出了一种降低全耗尽绝缘体上的硅(SOI)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)源漏串联电阻的新结构,其特征在于源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚,从而有效降低了源漏串联电阻;同时,源漏区和沟道区的表面在同一平面上。这种降低全耗尽SOI MOSFET源漏串联电阻的新结构是采用图形化注氧隔离(SIMOX)技术来实现的。方法之一是通过控制不同区域埋氧的深度使SOI MOSFET源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚;方法之二是通过控制不同区域埋氧的厚度使SOI MOSFET源漏区的顶层硅比沟道区的顶层
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113658]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	王曦. 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法. 鉴定:无. 2005.

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