| 一种形成半导体衬底的方法 | |
| 王曦 | |
| 2005 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该发明提出了一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来;在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四周的沟槽;离子注入;高温退火;填充沟槽,CMP抛光,腐蚀SI＃－［3］N＃－［4］掩模等。该发明的方法消除了常规图形化SOI材料中体硅与掩埋绝缘层之间过渡区的应力,改善了图形化SOI材料的质量;同时减少了器件STI隔离的工艺步骤。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113657]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王曦. 一种形成半导体衬底的方法. 鉴定:无. 2005. |
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