| 在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法(中科院) | |
| 唐衍哲 ; 王文辉 ; 李铁 ; 王跃林 | |
| 2004 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明设计一种在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法,属于平面型光耦合的领域。其特征在于以绝缘层上硅为原料,利用硅在各向异性腐蚀液中的性质,提出一套制作多模干涉耦合器的简便方法。输入输出波导满足单模条件,多模波导区为矩形波导,侧壁绝对垂直且波导侧壁非常平整,多模区波导与输入输出波导的连接处是在腐蚀中自动形成的喇叭型过渡区。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113643]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐衍哲,王文辉,李铁,等. 在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法(中科院). 鉴定:无. 2004. |
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