| 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法 | |
| 孙佳胤 ; 王曦 ; 陈静 ; 张恩霞 | |
| 2006 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种绝缘体上硅(SOI)的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法,更明确地说是涉及一种用汞探针测试系统表征SOI材料的埋层氧化物电荷密度的方法,属于微电子学与固体电子学领域。该方法采用汞探针测试系统,通过比对腐蚀顶层硅前后电容-电压曲线的方法,表征薄膜以及超薄SOI (Silicon-On-Insulator：绝缘体上的硅)材料的埋层氧化物电荷密度。该表征方法针对顶层硅厚度1μm以内的SOI圆片,具有简便易行、测试过程迅速等优点,可以作为SOI材料规模化生产的在线表征方法。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113635]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙佳胤,王曦,陈静,等. 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法. 鉴定:无. 2006. |
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