| 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料 | |
| 孙佳胤 ; 陈静 ; 王曦 | |
| 2007 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料,其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅—绝缘埋层—单晶硅的三层复合结构的衬底材料;(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层;硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍;硅岛下面绝缘埋层剩余部分的截面积S2小于硅岛面积S1/4,而大于S1/25;本发明的图形化衬底材料具有大尺寸、低成本优点,可提高吸收异质外延的应力,提高外延生长的 GaN晶体的质量。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113634]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙佳胤,陈静,王曦. 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料. 鉴定:无. 2007. |
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