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	纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法
	宋志棠 ; 夏吉林 ; 张挺 ; 封松林
	2004
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	该发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料,然后沉积电介质材料,曝光,刻蚀成多孔状,孔径在50～200nm,间距2～5μm,接着向孔内沉积相变材料,化学机械抛光,覆盖掩模板,沉积上电极。于是薄膜就被掩膜板分成很多小单元,而每个单元大小差不多,引线,简单封装,每个单元内的小器件处于并联状态,然后测试每个单元的性能。此外,可以通过改变掩模板的大小,把上电极做成各种尺寸,画出一次函数关系,通过外延法得出截距,从而得到纳米器件的本征性能。该发明解决了纳米器件测量引线
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113631]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	宋志棠,夏吉林,张挺,等. 纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法. 鉴定:无. 2004.

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