| 一种纳电子相变存储器的制备方法 | |
| 宋志棠 ; 夏吉林 ; 刘卫丽 ; 刘波 ; 封松林 | |
| 2004 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该发明涉及一种纳电子相变存储器的制备方法。属于微电子学中的纳米材料的制造工艺。首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W,然后依次沉积一层Al和一层SiO_2。通过曝光、刻蚀,在SiO_2上刻蚀出孔,使下层Al曝露出来,然后通过阳极氧化法在曝露出的部分形成多孔氧化铝,同时对每个孔进行进一步的加工,可以形成为唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔,或形成孔径一致,分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增加化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜,实现纳米孔的W填充,通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化,然后沉积相变材料与电极材料 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113630]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,夏吉林,刘卫丽,等. 一种纳电子相变存储器的制备方法. 鉴定:无. 2004. |
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