| 可逆相变材料电性能的表征方法 | |
| 宋志棠 ; 封松林 | |
| 2008 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元制备方法。主要利用相变材料的半导体特性,通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管,利用纳米加工技术,在晶体管的源、漏上制备5-100nm的引出电极,这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可逆相变电阻,一个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的集成,可有效提高相变存储器的集成度。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113624]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋志棠,封松林. 可逆相变材料电性能的表征方法. 鉴定:无. 2008. |
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