| 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法 | |
| 刘卫丽 ; 宋志棠 | |
| 2008 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构,包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区,其中底栅比顶栅宽,沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构,较长的底栅用于克服短沟道效应,而尽量小的顶栅目的是为了提高速度,有源区制备在大面积高质量单晶半导体薄膜上,可提高速度,降低功耗。该双栅结构的制备方法是,在制备好底栅(包括栅电极和栅介质层)之后将单晶半导体薄膜转移至底栅上部,在高质量的单晶半导体薄膜上制备晶体管的有源区,然后制备顶部栅介质层和栅电极,形成高性能的 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113603]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘卫丽,宋志棠. 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法. 鉴定:无. 2008. |
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