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	采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法
	刘波 ; 宋志棠 ; 封松林
	2008
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	本发明涉及一种采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器单元的方法,具体包括硫系化合物纳米材料的制备方法及其用于制备相变存储器器件单元的方法。通过采用在一维绝缘的纳米材料表面覆盖一层硫系化合物薄膜,制备出硫系化合物纳米材料,进而再采用纳米加工技术,把硫系化合物纳米材料与相变存储器器件单元的电极集成在一起,制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。由于纳米结构材料的制备工艺比较成熟且尺寸可以很小,可以很容易制备出小尺寸的硫系化合物纳米材料。把硫系化合物纳米材料应用到相变存储器器件单元,利用硫系化合物纳米材料截面积可以很
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113597]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	刘波,宋志棠,封松林. 采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法. 鉴定:无. 2008.

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