| 深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器及其制造方法 | |
| 李欣欣 ; 王跃林 ; 张锟 ; 陆德仁 ; 熊斌 ; 罗乐 | |
| 2005 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该项目在深反应离子(DRIE)形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散来形成加速度敏感梁的两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器。为实现电阻间的电绝缘,在DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充,实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁的上的最大应力检测从而实现较高灵敏度。克服了采用硅片倾斜方向离子注入的繁琐和不适合批量制造,为实施倾斜离子注入预留的过宽沟槽从而影响敏感梁接触过载保护性能的两个缺点。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113585]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李欣欣,王跃林,张锟,等. 深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器及其制造方法. 鉴定:无. 2005. |
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