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	一种硅微加速度传感器及制作方法
	李昕欣 ; 王跃林
	2006
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	该发明涉及一种单片集成直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法。其特征在于：二个直拉直压微梁对称地位于弯曲主悬臂梁的两边,使得微梁只有X方向的直拉直压变形,微梁的自由端与质量块相连;硼扩散的微梁本身作为压阻敏感电阻;硅框架、悬臂梁、可动质量块、微梁以及过保护机构构成的传感器为单片硅形成的整体式结构;悬臂梁、微梁和过载保护结构的制作是同时完成;其中直拉微梁在SOI材料的上层硅上制作,弯曲悬臂梁的质量块等在下层硅衬底上制作,并有中间的氧化层形成电阻与结构间的电绝缘。该发明适合各种量程(1～1.6×10^5g
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113576]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	李昕欣,王跃林. 一种硅微加速度传感器及制作方法. 鉴定:无. 2006.

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