| 磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法 | |
| 李爱珍 ; 陈建新 ; 徐刚毅 ; 张永刚 | |
| 2005 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 利用本专利方法生长的InP缓冲层,可以作为下波导包裹层,有效裁剪下波导层包裹层的折射率,实现了对激光器有效的光学限制和自由载流子限制;或作为量子级联激光器的高台面深度腐蚀的腐蚀终止层,防止中红外量子级联激光器有源区电流向衬底扩散,降低量子级联激光器的阈值电流密度;或作为来自衬底缺陷和外来杂质的吸收层,改善衬底和外延层界面质量。 本成果已应用于制备5-10微米中红外F-P腔和7.4-8.6微米DFB系列量子级联激光器材料和器件,获得优良品质,证明了该发明专利的可应用性。 本发明成果为国际上首先提出和采用In |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113556]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李爱珍,陈建新,徐刚毅,等. 磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法. 鉴定:无. 2005. |
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