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	一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
	劳燕锋 ; 吴惠桢 ; 封松林 ; 齐鸣
	2006
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	曾被用于Si基材料的直接键合技术近年来在Ⅲ-Ⅴ族材料的组装中得到了广泛应用。与传统外延技术如MBE、MOCVD相比,直接键合过程不会在外延层中额外地引入线位错,这是使该技术在组合不同材料结构中得以应用的重要原因;然而直接键合也带来不利的影响,如键合过程在异质材料界面附近引入大量的边位错群,对电学、光学性质产生影响,同时退火过程引起缺陷、纳米量级微空位扩散、迁移致外延层结构使其性能变差,而且退火过程也会影响外延层的质量。虽然如此,业已成功地在实验室规模上进行了脊波导激光器、垂直腔面发射激光器(LW-VCSE
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113553]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	劳燕锋,吴惠桢,封松林,等. 一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法. 鉴定:无. 2006.

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