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	用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法
	未知
	2008
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	本发明涉及一种应用于MEMS领域的多层SOI材料及制备方法,其特征在于采用SOI材料或者具有类SOI的多层复合结构衬底,采用硅硅直接键合或熔融键合,结合研磨和抛光或者智能剥离的方法获得具有晶体硅层和绝缘埋层相叠分布的多层结构的SOI材料。该材料可方便实现特定的MEMS复杂器件的制造,精确控制器件中的某些特征尺寸,从而完善SOI之于MEMS的应用。对于一些沟槽隔离的微机械加工的微电子器件,该材料也是实现单片集成的有效解决方案。200710043680.5
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113468]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	未知. 用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法. 鉴定:无. 2008.

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