| 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法 | |
| 未知 | |
| 2008 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料及其制备方法,其特征在于所述材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅－绝缘埋层－单晶硅的三层复合结构的衬底材料;顶层的硅被刻蚀成一个个独立的硅岛;硅岛之间的最小距离要大于外延氮化镓厚度的两倍;且独立硅岛的中心区域下的衬底硅和绝缘埋层被全部刻蚀掉,而其它部分的衬底硅和绝缘埋层给予保留,从而独立硅岛的中心区域悬空。本发明所得到的中心悬空的顶层硅岛为氮化镓外延生长提供了超薄衬底,能有效减少异质外延的应力,提高外延生长氮化镓的晶体质量。200710043618.6 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113467]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 未知. 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法. 鉴定:无. 2008. |
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