| 厚膜绝缘层上硅材料的制备方法 | |
| 未知 | |
| 2005 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该发明专利为制备厚膜SOI(Silieon on insulator)材料的方法,其特征为：以利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底,然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料,外延层厚度可以根据需要控制,外延层表面平整度优于用键合减薄方法制备的SOI材料。外延生长时可以选用SICl4,SiHCl3,Sill2C12或SiH4作为硅源,外延掺杂类型可以根据需要选择,外延生长前衬底用H_2高温烘烤改善表面状况。外延层硅层厚度为5-10μ,沉积速率为0.3-0. |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113444]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 未知. 厚膜绝缘层上硅材料的制备方法. 鉴定:无. 2005. |
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