| 深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器 | |
| 未知 | |
| 2005 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该发明专利是一种通过在深反应离子(DRIE)形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散,来形成加速度敏感梁两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器,及其制造方法。它属于硅微机械传感器技术领域。该专利为实现电阻间的电绝缘,采用了在DRIE形成的绝缘深沟内进行绝缘薄膜填充的方法。该种制作方法可以实现硅片内方向挠曲的加速度敏感梁上最大应力的检测,从而实现较高灵敏度。同时还克服了两个缺点：(1)采用硅片倾斜方向离子注入的繁琐和不适合批量制造;(2)为实施倾斜离子注入预留的过宽沟槽影响敏感梁接触过载保护性能。该专利制造工艺简单 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113440]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 未知. 深沟侧壁扩散和电绝缘薄膜填充制造压阻加速度传感器. 鉴定:无. 2005. |
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