| 等离子体离子注入制备SOI圆片 | |
| 未知 | |
| 2004 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 该项成果受到了上海市科委优秀学科带头人计划项目99XD14029的资助。SOI材料,即绝缘体上的硅,是一种在微电子、光通信等领域具有广阔市场前景的新型硅基半导体材料。在SOI材料制备工艺中,等离子体离子注入工艺研究对降低材料制备成本和获得大尺寸、优质SOI圆片具有重要意义。该项成果在Separation by plasma implantation oxygen(SPIMOX)工艺中,创造性地采用水汽等离子体替代通常的氧等离子体,克服了氧等离子体中由于分子、原子、离子共存引起的氧化埋层宽化和近表面现象,成 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113423]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 未知. 等离子体离子注入制备SOI圆片. 鉴定:无. 2004. |
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