| 高温压力传感器芯片的制作方法 | |
| 未知 | |
| 2004 | |
| 获奖类别 | 鉴定 |
| 获奖等级 | 无 |
| 中文摘要 | 这种高温压力传感器芯片的制作方法,最为关键的工艺是将有单晶碳化硅外延层的硅片与外层被氧化的硅片用浓硫酸清洗,再用去离子水冲洗,然后将其中硅片的碳化硅面与另一硅片的氧化硅面进行键合,最后将其放入氢氧化钾溶液中腐蚀,去除碳化硅外延层的衬底硅层。这种方法不仅简化了高温压力传感器芯片的制作工艺,而且保证了这样制造出来的芯片的单晶碳化硅高温半导体特性的充分发挥。 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 成果 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113420]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 未知. 高温压力传感器芯片的制作方法. 鉴定:无. 2004. |
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