大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法

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	大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法
	周东; 郭旗; 任迪远; 李豫东; 席善斌; 孙静; 文林
刊名	强激光与粒子束
	2013
卷号	25 期号:2 页码:485-489
关键词	大规模集成电路无损筛选辐射损伤回归分析物理应力
ISSN号	1001-4322
中文摘要	空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过不同的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数;建立预测电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示,物理应力实验与数学回归分析结合的筛选方法减小了实验值与预测值的偏差,提高了预估方程的拟合优度和显著程度,使预估方程处于置信区间。更多还原
公开日期	2013-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2409]
专题	新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院
推荐引用方式 GB/T 7714	周东,郭旗,任迪远,等. 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法[J]. 强激光与粒子束,2013,25(2):485-489.
APA	周东.,郭旗.,任迪远.,李豫东.,席善斌.,...&文林.(2013).大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法.强激光与粒子束,25(2),485-489.
MLA	周东,et al."大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法".强激光与粒子束 25.2(2013):485-489.