| 题名 | 有机硅/SiO2和聚硅氮烷涂层的制备及其抗原子氧与真空紫外侵蚀性能研究 |
| 作者 | 胡龙飞 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院金属研究所 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 李美栓 |
| 关键词 | 原子氧 真空紫外 防护涂层 |
| 学位专业 | 材料学 |
| 中文摘要 | "本工作在建立一套空间综合环境地面模拟装置的基础上，重点对有机硅/SiO2杂化涂层以及新研制聚硅氮烷涂层的抗AO、VUV侵蚀性能进行了系统研究。 综合空间环境地面模拟装置能够模拟原子氧、真空紫外、热循环三种空间环境因素。利用该装置可以获得高通量、大直径的AO束流，AO通量范围1015 ~ 1017 atoms×cm-2×s-1，能量约为5 eV。真空紫外强度和热循环范围分别为0 ~ 7个太阳数和-196oC ~ +200oC。该装置配置了四极质谱仪和石英晶体微天平，具有原位监测挥发性气体种类和测量暴露试样质量变化的功能。 有机硅SiO2杂化涂层和磁控溅射的Si1-x-yCxNy涂层在AO暴露过程中显示出良好的抗侵蚀性能，但是在AO、VUV同时暴露下，这两种涂层的侵蚀速率均有所升高。 制备了一种具有良好抗AO、VUV侵蚀性能的新型聚硅氮烷（PSZ）涂层。通过添加聚硅硼烷对聚硅氮烷涂层进行了改性。改性后的涂层表的氧化层变为玻璃相，使涂层具有自愈合性能，从而降低了涂层表面的开裂趋势和AO侵蚀速率。此外，还制备了全氢聚硅氮烷涂层，进一步提高了涂层的抗侵蚀能力。 对有机硅/20 wt.%SiO2杂化涂层和Si0.26C0.43N0.31涂层进行了不同通量的AO暴露，分析了AO束流通量对涂层抗AO侵蚀性能的影响，提出了涂层AO侵蚀系数随AO束流通量变化的一种预测模型，并对预测模型的合理性进行了初步验证。" |
| 公开日期 | 2013-04-12 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/64165]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡龙飞. 有机硅/SiO2和聚硅氮烷涂层的制备及其抗原子氧与真空紫外侵蚀性能研究[D]. 北京. 中国科学院金属研究所. 2010. |
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