不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性

	不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性
	陆妩; 郭旗; 余学锋; 何承发
	2009
会议名称	第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
会议日期	2009
会议地点	沈阳
中文摘要	影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺，剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率下的辐射损伤特性，分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明国产NPN晶体管具有低剂量率辐照损伤敏感性增强效应，且发现小电流注入下晶体管辐射损伤会表现得愈加显著。比较三种发射极尺寸晶体管辐照响应，发现发射极周长面积比(P/A)越大时晶体管归一化过剩基极电流(△IB//BO)也越大。文中详细阐述了NPN晶体管辐射损伤机制，从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对NPN晶体管的加固保证方法进行了探索.
会议主办者	中国电子学会中国核学会
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2346]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式 GB/T 7714	陆妩,郭旗,余学锋,等. 不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性[C]. 见:第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会. 沈阳. 2009.