CCD的总剂量效应及加固方法研究 | |
郭旗![]() ![]() | |
2011 | |
会议名称 | 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 |
会议日期 | 2011 |
会议地点 | 三亚 |
中文摘要 | 通过CCD的60Co γ射线与高能电子辐照试验,研究了器件的电离总剂量效应,从器件结构和工艺方面分析了器件的辐射损伤机理与加固方法。在此基础上,对采用抗辐射加固设计的某1024×1024元CCD进行了60Co γ射线辐照试验.结果表明,采取抗辐射加固措施研制的CCD抗电离辐射总剂量能力达到了较高的水平. |
收录类别 | wanfang |
会议主办者 | 中国电子学会 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2320] ![]() |
专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭旗,李豫东. CCD的总剂量效应及加固方法研究[C]. 见:第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议. 三亚. 2011. |
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