氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响
陆妩
2011
会议名称第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
会议日期2011
会议地点三亚
中文摘要研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示:随着总剂量的增加,晶体管基极电流增大,电流增益下降,且薄氧化层的晶体管比常规厚氧化层的晶体管退化更严重。另外,两种NPN晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应,并对各种实验现象的损伤机理进行了分析。
收录类别wanfang
会议主办者中国电子学会
语种中文
内容类型会议论文
源URL[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2315]  
专题新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
陆妩. 氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响[C]. 见:第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议. 三亚. 2011.
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