氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响 | |
陆妩 | |
2011 | |
会议名称 | 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 |
会议日期 | 2011 |
会议地点 | 三亚 |
中文摘要 | 研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性。结果显示:随着总剂量的增加,晶体管基极电流增大,电流增益下降,且薄氧化层的晶体管比常规厚氧化层的晶体管退化更严重。另外,两种NPN晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应,并对各种实验现象的损伤机理进行了分析。 |
收录类别 | wanfang |
会议主办者 | 中国电子学会 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2315] |
专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆妩. 氧化层厚度对NPN双极晶体管辐射损伤的影响[C]. 见:第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议. 三亚. 2011. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论