| Si-SiO<,2>-PI结构湿度传感器的特性研究 | |
常爱民
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| 2003 | |
| 会议名称 | 第八届敏感元件与传感器学术会议 |
| 会议日期 | 2003 |
| 会议地点 | 北京 |
| 中文摘要 | 采用Si-SiO<,2>-PI结构制备了聚酰亚胺电容式湿度传感器,对该种传感器的特性进行了测试,并与传统夹层式结构的样品进行了对比.研究表明,Si-SiO<,2>-PI结构的湿度传感器在同等测试条件下,其电容值要比传统结构样品高25,并且特别利于克服薄膜孔洞和厚度不均匀造成的短路现象,有利于批量生产. |
| 收录类别 | wanfang |
| 会议主办者 | 中国仪器仪表学会 中国电子学会 中国航空学会 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2287]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 常爱民. Si-SiO<,2>-PI结构湿度传感器的特性研究[C]. 见:第八届敏感元件与传感器学术会议. 北京. 2003. |
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