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	单模量子级联激光器线阵列结构
	高 瑜 ; 刘峰奇 ; 刘俊岐 ; 王占国
	2010-08-12
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括:一衬底;多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形结构列;一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开，形成电注入窗口;一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上;一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。
英文摘要	一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括:一衬底;多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形结构列;一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开，形成电注入窗口;一上欧姆接触层，该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上;一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3552.pdf: 410082 bytes, checksum: e973366be3df13a6725f2e1ef6225522 (MD5)
公开日期	2010-03-03 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15
申请日期	2008-08-27
语种	中文
专利申请号	CN200810118963.6
专利代理	汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13372]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	高 瑜,刘峰奇,刘俊岐,等. 单模量子级联激光器线阵列结构. 2010-08-12.

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