单模量子级联激光器线阵列结构 | |
高 瑜 ; 刘峰奇 ; 刘俊岐 ; 王占国 | |
2010-08-12 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
中文摘要 | 一种单模量子级联激光器线阵列结构,其特征在于,该结构包括:一衬底;多个脊形单元,该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上,形成脊形结构列;一隔离层,该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面,该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开,形成电注入窗口;一上欧姆接触层,该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。 |
英文摘要 | 一种单模量子级联激光器线阵列结构,其特征在于,该结构包括:一衬底;多个脊形单元,该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上,形成脊形结构列;一隔离层,该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面,该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开,形成电注入窗口;一上欧姆接触层,该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3552.pdf: 410082 bytes, checksum: e973366be3df13a6725f2e1ef6225522 (MD5) |
公开日期 | 2010-03-03 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
申请日期 | 2008-08-27 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200810118963.6 |
专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13372] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高 瑜,刘峰奇,刘俊岐,等. 单模量子级联激光器线阵列结构. 2010-08-12. |
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