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	边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法
	陆全勇 ; 张 伟 ; 王利军 ; 高 瑜 ; 尹 雯 ; 张全德 ; 刘万峰 ; 刘峰奇 ; 王占国
	2010-08-12
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括:一衬底;一下波导层，该下波导层生长在衬底的中间部位，在下波导层上依次生长有有源层、上波导层和盖层;一高掺杂层，该高掺杂层生长在盖层的上面，该高掺杂层为二维正方圆孔点阵结构，该点阵结构具有沿ΓX方向的(0，1)级耦合机制;一二氧化硅层，该二氧化硅层生长在衬底两侧的上面和下波导层、有源层、上波导层和盖层的两侧，及高掺杂层两侧和高掺杂层上面的边缘部分;一正面金属电极层，该正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及高掺杂层的二维正方圆孔点阵结构的上面;一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成边模抑制比为20dB的边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器。
英文摘要	一种边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括:一衬底;一下波导层，该下波导层生长在衬底的中间部位，在下波导层上依次生长有有源层、上波导层和盖层;一高掺杂层，该高掺杂层生长在盖层的上面，该高掺杂层为二维正方圆孔点阵结构，该点阵结构具有沿ΓX方向的(0，1)级耦合机制;一二氧化硅层，该二氧化硅层生长在衬底两侧的上面和下波导层、有源层、上波导层和盖层的两侧，及高掺杂层两侧和高掺杂层上面的边缘部分;一正面金属电极层，该正面金属电极层生长在二氧化硅层的上面及高掺杂层的二维正方圆孔点阵结构的上面;一背面金属电极层生长在衬底的下面，形成边模抑制比为20dB的边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3546.pdf: 832942 bytes, checksum: 1bc370a5d23535896187f004816fed52 (MD5)
公开日期	2010-03-17 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15
申请日期	2008-09-10
语种	中文
专利申请号	CN200810119796.7
专利代理	汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13360]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陆全勇,张 伟,王利军,等. 边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法. 2010-08-12.

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