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	低温晶片键合的方法
	彭红玲 ; 陈良惠 ; 郑婉华 ; 石 岩 ; 渠红伟 ; 杨国华 ; 何国荣
	2010-08-12
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底;步骤2:再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理;步骤3:将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气;步骤4:对键合后的晶片进行减薄;步骤5:再对减薄后的晶片进行第二次热处理;步骤6:最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。
英文摘要	一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底;步骤2:再分别对Si外延片和InGaAs外延片进行表面处理，以去除表面的杂质离子、除碳和亲水性处理;步骤3:将Si外延片和InGaAs外延片进行贴合，贴合后的晶片对置于真空键合机内键合，进行第一次热处理，以驱除键合界面的水气;步骤4:对键合后的晶片进行减薄;步骤5:再对减薄后的晶片进行第二次热处理;步骤6:最后腐蚀掉键合晶片的InP衬底，完成低温晶片键合的制作。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3542.pdf: 551711 bytes, checksum: f025df17ccf691368a7c1c112b73f1ee (MD5)
公开日期	2010-03-24 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15
申请日期	2008-09-17
语种	中文
专利申请号	CN200810222336.7
专利代理	汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13352]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	彭红玲,陈良惠,郑婉华,等. 低温晶片键合的方法. 2010-08-12.

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