在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法

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	在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法
	杨晓红
	2010-08-12
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法。该方法是将标准器件与被测器件置于可精确控制温度的具有光窗口的真空杜瓦内，光信号可以通过光窗口出入杜瓦，被测器件与标准器件进行对比即可得到被测器件光电参数。该装置及方法可以测试光电器件在一定高低温范围内的光电参数，采用了具有光窗口的真空杜瓦作为器件测试环境，将器件置于真空杜瓦内真空腔的热沉上，热沉与冷源和热源相连接，光电器件的输出信号线与腔外测试系统相连。利用本发明，降低了在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的复杂性，提高了测试的精确度，解决了温度过低时光窗口结霜的问题。
英文摘要	本发明公开了一种在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法。该方法是将标准器件与被测器件置于可精确控制温度的具有光窗口的真空杜瓦内，光信号可以通过光窗口出入杜瓦，被测器件与标准器件进行对比即可得到被测器件光电参数。该装置及方法可以测试光电器件在一定高低温范围内的光电参数，采用了具有光窗口的真空杜瓦作为器件测试环境，将器件置于真空杜瓦内真空腔的热沉上，热沉与冷源和热源相连接，光电器件的输出信号线与腔外测试系统相连。利用本发明，降低了在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的复杂性，提高了测试的精确度，解决了温度过低时光窗口结霜的问题。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3539.pdf: 392721 bytes, checksum: 78746cf3f33677eb873a03798d9549dd (MD5)
公开日期	2010-03-31 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15
申请日期	2008-09-27
语种	中文
专利申请号	CN200810223611.7
专利代理	周国城:中科专利商标代理有限责任公司
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13346]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨晓红. 在特殊高低温条件下对光电器件进行测试的装置及方法. 2010-08-12.