| 改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元 | |
| 赵 凯 ; 刘忠立 ; 于 芳 | |
| 2009-05-27 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中科院半导体研究所 |
| 英文摘要 | 于AD批量导入至AEzhangdi; 于AD批量导入至AEzhangdi |
| 公开日期 | 3996 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2007-11-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200710177788 |
| 专利代理 | 汤宝平 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9148]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵 凯,刘忠立,于 芳. 改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元. 2009-05-27. |
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