一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法 | |
杨晓红![]() | |
2009-06-17 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中科院半导体研究所 |
英文摘要 | 于AD批量导入至AEzhangdi; 于AD批量导入至AEzhangdi |
公开日期 | 3998 ; 2010-10-15 |
申请日期 | 2007-12-12 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200710179381 |
专利代理 | 汤宝平 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9132] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨晓红. 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法. 2009-06-17. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论