| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 | |
| 韩根全 ; 曾玉刚 ; 余金中 | |
| 2009-03-04 | |
| 专利类型 | 发明 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/CN200710121073.6.pdf: 302925 bytes, checksum: 6d3371dd448a23bc1b7482ad25979782 (MD5) Previous issue date: |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2007-08-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200710121073.6 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4313]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩根全,曾玉刚,余金中. 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法. 2009-03-04. |
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