高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构 | |
张泉 ; 郑厚植 | |
2008-12-17 | |
专利类型 | 发明 |
英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/CN200710118870.9.pdf: 360566 bytes, checksum: 7e40ba0211087b06cb73d6bbffa91178 (MD5) Previous issue date: |
公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
申请日期 | 2007-06-13 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200710118870.9 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4277] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张泉,郑厚植. 高增益、低噪声980nm半导体微腔光放大器结构. 2008-12-17. |
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