基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 | |
刘兴昉![]() | |
2008-10-08 | |
专利类型 | 发明 |
英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/CN200710065183.5.pdf: 373928 bytes, checksum: 3d352b7ea73bcc177f2ecaf0d0464918 (MD5) Previous issue date: |
公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
申请日期 | 2007-04-05 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN200710065183.5 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4213] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴昉. 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法. 2008-10-08. |
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