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	氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
	王晓亮 ; 马志勇 ; 冉学军 ; 肖红领 ; 王翠梅 ; 胡国新 ; 唐健 ; 罗卫军
	2008-07-17
专利类型	发明
英文摘要	Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/CN200710064383.9.pdf: 1010209 bytes, checksum: bc3d2034375cd355e1c81478df546c31 (MD5) Previous issue date:
公开日期	2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期	2007-03-14
语种	中文
专利申请号	CN200710064383.9
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4199]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓亮,马志勇,冉学军,等. 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法. 2008-07-17.

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