一种生长二氧化硅薄膜的方法 | |
王晓东 ; 季安 ; 邢波 ; 杨富华 | |
2008-07-02 | |
专利类型 | 发明 |
英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200610171664.pdf: 497353 bytes, checksum: b2ff616d87e73fbe2cdf762693d9660f (MD5) Previous issue date: |
公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
申请日期 | 2006-12-31 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200610171664 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4117] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓东,季安,邢波,等. 一种生长二氧化硅薄膜的方法. 2008-07-02. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论