| 一种生长二氧化硅薄膜的方法 | |
| 王晓东 ; 季安 ; 邢波 ; 杨富华 | |
| 2008-07-02 | |
| 专利类型 | 发明 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200610171664.pdf: 497353 bytes, checksum: b2ff616d87e73fbe2cdf762693d9660f (MD5) Previous issue date: |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2006-12-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610171664 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4117]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓东,季安,邢波,等. 一种生长二氧化硅薄膜的方法. 2008-07-02. |
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