一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法
宋国峰 ; 高建霞 ; 郭宝山 ; 陈良惠
2008-06-18
专利类型发明
英文摘要Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200610165112.pdf: 643532 bytes, checksum: 80008538e1f261ee4c2b3bb19aa5dc27 (MD5) Previous issue date:
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期2006-12-13
语种中文
专利申请号200610165112
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4081]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
宋国峰,高建霞,郭宝山,等. 一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法. 2008-06-18.
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