光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法
许兴胜 ; 陈弘达
2006-12-20
专利类型发明
英文摘要Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200510076327.pdf: 726023 bytes, checksum: 965c2843e06bbf3bd18d6daccea0cbc1 (MD5) Previous issue date:
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期2005-06-14
语种中文
专利申请号200510076327
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3669]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
许兴胜,陈弘达. 光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法. 2006-12-20.
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