NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 | |
张慧[1]; 王书运[1]; 高垣梅[1]; 王存涛[1] | |
2013 | |
卷号 | 44期号:6页码:1-4 |
关键词 | 坡莫合金薄膜 各向异性磁电阻 NiO插层 基片温度 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6103639 |
专题 | 山东师范大学 |
作者单位 | [1]山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张慧[1],王书运[1],高垣梅[1],等. NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响[J],2013,44(6):1-4. |
APA | 张慧[1],王书运[1],高垣梅[1],&王存涛[1].(2013).NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响.,44(6),1-4. |
MLA | 张慧[1],et al."NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响".44.6(2013):1-4. |
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