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多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计
颜永红,谌昊,樊晓华,刘昱,曾云
刊名计算机工程与应用
2014
卷号第50卷 第19期页码:42-46
关键词多频段 功率可控 金属氧化为半导体 开关类 功率放大器
ISSN号1002-8331
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公开日期[db:dc_date_available]
内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6098919
专题湖南大学
作者单位1.湖南大学物理与微电子科学学院
2.中国科学院微电子研究所射频集成电路研究室
推荐引用方式
GB/T 7714
颜永红,谌昊,樊晓华,刘昱,曾云. 多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计[J]. 计算机工程与应用,2014,第50卷 第19期:42-46.
APA 颜永红,谌昊,樊晓华,刘昱,曾云.(2014).多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计.计算机工程与应用,第50卷 第19期,42-46.
MLA 颜永红,谌昊,樊晓华,刘昱,曾云."多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计".计算机工程与应用 第50卷 第19期(2014):42-46.
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