多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计 | |
颜永红,谌昊,樊晓华,刘昱,曾云 | |
刊名 | 计算机工程与应用
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2014 | |
卷号 | 第50卷 第19期页码:42-46 |
关键词 | 多频段 功率可控 金属氧化为半导体 开关类 功率放大器 |
ISSN号 | 1002-8331 |
URL标识 | 查看原文 |
公开日期 | [db:dc_date_available] |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6098919 |
专题 | 湖南大学 |
作者单位 | 1.湖南大学物理与微电子科学学院 2.中国科学院微电子研究所射频集成电路研究室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 颜永红,谌昊,樊晓华,刘昱,曾云. 多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计[J]. 计算机工程与应用,2014,第50卷 第19期:42-46. |
APA | 颜永红,谌昊,樊晓华,刘昱,曾云.(2014).多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计.计算机工程与应用,第50卷 第19期,42-46. |
MLA | 颜永红,谌昊,樊晓华,刘昱,曾云."多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计".计算机工程与应用 第50卷 第19期(2014):42-46. |
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